| 型號: | ISL9N327AD3ST |
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
| 中文描述: | 20 A, 30 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 文件頁數: | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 185K |
| 代理商: | ISL9N327AD3ST |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9R2480G2 | 24A, 800V Stealth⑩ Diode |
| ISL9R860S3ST | Choke; Inductance:1.5mH; Current Rating:4A; Leaded Process Compatible:Yes; Resistance:0.02ohm |
| ISL9R860PF2 | 8A, 600V Stealth Diode |
| ISL9R860P2 | 8A, 600V Stealth⑩ Diode |
| ISL9R860S2 | 8A, 600V Stealth⑩ Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ISL9N7030BLP3 | 功能描述:MOSFET 30V 0.009 Ohm N-Ch Logic Level 74a RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ISL9N7030BLS3ST | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ISL9R1560G2 | 功能描述:整流器 15A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| ISL9R1560G2_Q | 功能描述:整流器 15A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| ISL9R1560P2 | 功能描述:整流器 15A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |