參數(shù)資料
型號： ISL9305IRTHWLNCZ-T
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 6/17頁
文件大小： 661K
描述： IC REG QD BUCK/LINEAR 16TQFN
產(chǎn)品培訓模塊： Patient Monitoring and Diagnostic Equipment Solutions
標準包裝： 6,000
拓撲： 降壓（降壓）（2），線性（LDO）（2）
功能： 任何功能
輸出數(shù)： 4
頻率 - 開關： 3MHz
電壓/電流 - 輸出 1： 0.8 V ~ 5.5 V，800mA
電壓/電流 - 輸出 2： 0.8 V ~ 5.5 V，800mA
電壓/電流 - 輸出 3： 0.9 V ~ 3.3 V，350mA
帶 LED 驅(qū)動器： 無
帶監(jiān)控器： 無
帶序列發(fā)生器： 無
電源電壓： 1.5 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-WQFN 裸露焊盤
供應商設備封裝： 16-TQFN-EP（4x4）
包裝： 帶卷 (TR)
ISL9305H
6
FN7724.1
October 5, 2011
Line Regulation
V
IN
 = V
O
 + 0.5V to 5.5V (minimal 2.5V)
-   0.1   -   %/V
Maximum Output Current
1500   -    -    mA
P-Channel MOSFET ON-resistance
V
IN
 = 3.6V, I
O
 = 200mA
-   0.14  0.20   &
V
IN
 = 2.3V, I
O
 = 200mA
-   0.24  0.40   &
N-Channel MOSFET ON-resistance
V
IN
 = 3.6V, I
O
 = 200mA
-   0.11  0.20   &
V
IN
 = 2.3V, I
O
 = 200mA
0.18  0.34   &
P-Channel MOSFET Peak Current Limit    I
PK
2.1   2.5  2.75   A
SW Maximum Duty Cycle
-   100   -    %
SW Leakage Current
V
IN
 = 5.5V
-   0.005   1    礎
PWM Switching Frequency
f
S
2.6   3.0   3.4   MHz
SW Minimum ON-time
V
FB
 = 0.75V
-    70    -    ns
Bleeding Resistor
-   115   -    &
PG
Output Low Voltage
Sinking 1mA, FB1 = FB2 = 0.7V
-    -   0.25   V
Rising Delay Time
Based on 1ms programmed nominal delay time
0.6   1.1   1.8   ms
Falling Delay Time
Based on 1ms programmed nominal delay time
-    30    -    祍
PG Pin Leakage Current
PG = VINDCD1 = VINDCD2 = 3.6V
-   0.005  0.1   礎
PG Low Rising Threshold
Percentage of nominal regulation voltage
-    91    -    %
PG Low Falling Threshold
Percentage of nominal regulation voltage
-    87    -    %
PG High Rising Threshold
Percentage of nominal regulation voltage
-   112   -    %
PG High Falling Threshold
Percentage of nominal regulation voltage
-   109   -    %
LDO1 AND LDO2
VINLDO1, VINLDO2 Supply Voltage
No higher than VINDCD1
1.5   -   5.5   V
VINLDO1, VINLDO2 Undervoltage
Lockout Threshold
V
UVLO
Rising
-   1.41  1.46   V
Falling
1.33  1.37   -    V
Internal Peak Current Limit
350  425  540   mA
Dropout Voltage
I
O
 = 300mA, V
O
 d 2.1V
-   120  250   mV
I
O
 = 300mA, 2.1V < V
O
 d 2.8V
-   100  200   mV
I
O
 = 300mA, V
O
 > 2.8V
-    80   170   mV
Power Supply Rejection Ratio
I
O
 = 300mA @ 1kHz, V
IN
 = 3.6V, V
O
 = 2.6V, T
A
=+25癈    -    55    -    dB
Output Voltage Noise
V
IN
= 4.2V, I
O
 = 10mA, T
A
=+25癈, BW = 10Hz to 100kHz   -    45    -   礦
RMS
NOTE:
6. Parameters with MIN and/or MAX limits are 100% tested at +25癈, unless otherwise specified. Temperature limits established by characterization
and are not production tested.
Electrical Specifications  Unless otherwise noted, all parameter limits are guaranteed over the recommended operating conditions 
and the typical specifications are measured at the following conditions: T
A
 = +25癈, VINDCD1 = 3.6V, VINDCD2 = 3.3V. For LDO1 and LDO2,
VINLDOx= VOLDOx + 0.5V to 5.5V with VINLDOx always no higher than VINDCD1, L1=L2 = 1.5礖, C1 = 10礔, C4 = C5 = 10礔, C2 = C3 = C6 = C7 =
1礔, I
OUT
=0A for DCD1, DCD2, LDO1 and LDO2 (seeTYPICAL APPLICATION DIAGRAM on page1 for more details). Boldface limits apply over the
operating temperature range, -40癈 to +85癈. (Continued)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
(Note 6) TYP
MAX
(Note 6) UNIT
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PDF描述
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