FN6040.1 July 8, 2005 Die Characteristics SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP) GND TRANSISTOR COUNT ISL83387E: 1063 PROCESS Si Gate CMOS FIG" />
參數(shù)資料
型號(hào)： ISL83387EIV-T
廠商： Intersil
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC 3DRVR/3RCVR RS232 3V 24-TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
類型： 收發(fā)器
驅(qū)動(dòng)器/接收器數(shù)： 3/3
規(guī)程： RS232
電源電壓： 3 V ~ 5.5 V
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 24-TSSOP
包裝： 帶卷 (TR)
12
FN6040.1
July 8, 2005
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP)
GND
TRANSISTOR COUNT
ISL83387E: 1063
PROCESS
Si Gate CMOS
FIGURE 14. SUPPLY CURRENT vs LOAD CAPACITANCE
WHEN TRANSMITTING DATA
FIGURE 15. SUPPLY CURRENT vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 16. VL SUPPLY CURRENT vs VL VOLTAGE
Typical Performance Curves VCC = VL = 3.3V, TA = 25oC (Continued)
10
15
20
25
30
45
35
40
0
1000
2000
3000
4000
5000
LOAD CAPACITANCE (pF)
SUPP
LY
CURRENT
(
m
A)
20kbps
250kbps
120kbps
SUPP
LY
C
URRENT
(m
A)
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
SUPPLY VOLTAGE (V)
2.5
3.0
3.5
NO LOAD
ALL OUTPUTS STATIC
I L
(A)
VL (V)
NO LOAD
ALL OUTPUTS STATIC
2.0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
2.5
6.5
7.0
1n
10n
100n
1
10
100
10m
1m
VCC = 3.3V
VL ≤ VCC
VL > VCC
ISL83387E
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PDF描述
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