FN6001.4 January 16, 2005 Die Characteristics SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP) GND TRANSISTOR COUNT 338 PROCESS Si Gate CMOS FIGURE 9. SU" />
參數(shù)資料
型號(hào)： ISL83385EIBZ-T
廠商： Intersil
文件頁(yè)數(shù)： 11/11頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC 2DRVR/2RCVR RS232 18-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,000
類型： 收發(fā)器
驅(qū)動(dòng)器/接收器數(shù)： 2/2
規(guī)程： RS232
電源電壓： 3 V ~ 5.5 V
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 18-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 18-SOIC W
包裝： 帶卷 (TR)
9
FN6001.4
January 16, 2005
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP)
GND
TRANSISTOR COUNT
338
PROCESS
Si Gate CMOS
FIGURE 9. SUPPLY CURRENT vs LOAD CAPACITANCE
WHEN TRANSMITTING DATA
FIGURE 10. SUPPLY CURRENT vs SUPPLY VOLTAGE
Typical Performance Curves VCC = 3.3V, TA = 25°C (Continued)
0
5
10
15
20
25
30
45
35
40
0
1000
2000
3000
4000
5000
LOAD CAPACITANCE (pF)
S
U
PPL
Y
CU
RRE
NT
(mA)
20kbps
250kbps
120kbps
SUPP
LY
CURRENT
(m
A)
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
SUPPLY VOLTAGE (V)
2.5
3.0
3.5
NO LOAD
ALL OUTPUTS STATIC
ISL83385E
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PDF描述
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