參數(shù)資料
型號(hào)： ISL6614CR
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 256 x 1 x 2 dual independent synchronous FIFO memories 24-SOIC -40 to 85
中文描述： 3 A 2 CHANNEL, HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PQCC16
封裝： 4 X 4 MM, PLASTIC, MO-220VGGC, QFN-16
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 331K
代理商： ISL6614CR
6
FN9155.4
July 25, 2005
LGATE Rise Time
t
RL
V
PVCC
= 12V, 3nF Load, 10% to 90%
-
18
-
ns
UGATE Fall Time
t
FU
V
PVCC
= 12V, 3nF Load, 90% to 10%
-
18
-
ns
LGATE Fall Time
t
FL
V
PVCC
= 12V, 3nF Load, 90% to 10%
-
12
-
ns
UGATE Turn-On Propagation Delay (Note 4)
t
PDHU
V
PVCC
= 12V, 3nF Load, Adaptive
-
10
-
ns
LGATE Turn-On Propagation Delay (Note 4)
t
PDHL
V
PVCC
= 12V, 3nF Load, Adaptive
-
10
-
ns
UGATE Turn-Off Propagation Delay (Note 4)
t
PDLU
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
10
-
ns
LGATE Turn-Off Propagation Delay (Note 4)
t
PDLL
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
10
-
ns
LG/UG Three-State Propagation Delay (Note 4)
t
PDTS
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
10
-
ns
OUTPUT (Note 4)
Upper Drive Source Current
I
U_SOURCE
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
1.25
-
A
Upper Drive Source Impedance
R
U_SOURCE
150mA Source Current
1.4
2.0
3.0
Upper Drive Sink Current
I
U_SINK
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
2
-
A
Upper Drive Transition Sink Impedance
R
U_SINK_TR
-
1.3
2.2
Upper Drive DC Sink Impedance
R
U_SINK_DC
150mA Source Current
0.9
1.65
3.0
Lower Drive Source Current
I
L_SOURCE
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
2
-
A
Lower Drive Source Impedance
R
L_SOURCE
150mA Source Current
0.85
1.3
2.2
Lower Drive Sink Current
I
L_SINK
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
3
-
A
Lower Drive Sink Impedance
R
L_SINK
150mA Sink Current
0.60
0.94
1.35
OVER TEMPERATURE SHUTDOWN
Thermal Shutdown Setpoint
-
150
-
°C
Thermal Recovery Setpoint
-
108
-
°C
NOTES:
4. Guaranteed by design. Not 100% tested in production.
Electrical Specifications
Recommended Operating Conditions, Unless Otherwise Noted.
(Continued)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
ISL6614
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL6614CRZ Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features
ISL6614CRZ-T 256 x 1 x 2 dual independent synchronous FIFO memories 28-SOIC -40 to 85
ISL6614CRZA Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features
ISL6614CR-T Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features
ISL6614IB-T Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ISL6614CR-T 功能描述:IC DRIVER DUAL SYNC BUCK 16-QFN RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
ISL6614CRZ 功能描述:IC DRIVER MOSF DUAL SYNC 16QFN RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
ISL6614CRZA 功能描述:IC DRIVER DUAL SYNC BUCK 16-QFN RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
ISL6614CRZAR5214 功能描述:IC DRVR DUAL SYNC BUCK 16-QFN RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
ISL6614CRZA-T 功能描述:IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 16QFN RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*