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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ISL6614CBZA |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO14 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 331K |
| 代理商： | ISL6614CBZA |
6
FN9155.4
July 25, 2005
LGATE Rise Time
t
RL
V
PVCC
= 12V, 3nF Load, 10% to 90%
-
18
-
ns
UGATE Fall Time
t
FU
V
PVCC
= 12V, 3nF Load, 90% to 10%
-
18
-
ns
LGATE Fall Time
t
FL
V
PVCC
= 12V, 3nF Load, 90% to 10%
-
12
-
ns
UGATE Turn-On Propagation Delay (Note 4)
t
PDHU
V
PVCC
= 12V, 3nF Load, Adaptive
-
10
-
ns
LGATE Turn-On Propagation Delay (Note 4)
t
PDHL
V
PVCC
= 12V, 3nF Load, Adaptive
-
10
-
ns
UGATE Turn-Off Propagation Delay (Note 4)
t
PDLU
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
10
-
ns
LGATE Turn-Off Propagation Delay (Note 4)
t
PDLL
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
10
-
ns
LG/UG Three-State Propagation Delay (Note 4)
t
PDTS
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
10
-
ns
OUTPUT (Note 4)
Upper Drive Source Current
I
U_SOURCE
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
1.25
-
A
Upper Drive Source Impedance
R
U_SOURCE
150mA Source Current
1.4
2.0
3.0
Upper Drive Sink Current
I
U_SINK
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
2
-
A
Upper Drive Transition Sink Impedance
R
U_SINK_TR
-
1.3
2.2
Upper Drive DC Sink Impedance
R
U_SINK_DC
150mA Source Current
0.9
1.65
3.0
Lower Drive Source Current
I
L_SOURCE
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
2
-
A
Lower Drive Source Impedance
R
L_SOURCE
150mA Source Current
0.85
1.3
2.2
Lower Drive Sink Current
I
L_SINK
V
PVCC
= 12V, 3nF Load
-
3
-
A
Lower Drive Sink Impedance
R
L_SINK
150mA Sink Current
0.60
0.94
1.35
OVER TEMPERATURE SHUTDOWN
Thermal Shutdown Setpoint
-
150
-
°C
Thermal Recovery Setpoint
-
108
-
°C
NOTES:
4. Guaranteed by design. Not 100% tested in production.
Electrical Specifications
Recommended Operating Conditions, Unless Otherwise Noted.
(Continued)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
ISL6614
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL6614CBZA-T | Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features |
| ISL6614IB | Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features |
| ISL6614IBZ | Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features |
| ISL6614IBZ-T | Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features |
| ISL6614IR | Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ISL6614CBZA-T | 功能描述:IC DRIVER DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| ISL6614CBZR5214 | 功能描述:IC DRVR DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| ISL6614CBZR5238 | 功能描述:IC DRVR DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| ISL6614CBZ-T | 功能描述:IC DRIVER DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| ISL6614CBZ-TR5214 | 功能描述:IC DRVR DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
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