參數(shù)資料
型號: ISL6443(中文)
廠商: Intersil Corporation
英文描述: 300kHz Dual, 180° Out-of-Phase, Step-Down PWM and Single Linear Controller(兩路300kHz,180°異相,降壓PWM外加一路線性控制器)
中文描述: 300kHz的雙路,180 °異相,降壓型PWM和線性控制器單(兩路為300kHz,180 °異相,降壓的PWM外加一路線性控制器)
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代理商: ISL6443(中文)
ISL6443
10
軟啟動電容可為兩個
PWM
輸出提供起動跟蹤。這通過選
擇合適的軟啟動電容來實現(xiàn),軟啟動電容的值等于相應的
PWM
輸出電壓的比值。例如,如果使用
PWM1=1.2V
PWM2=3.3V
,則軟啟動電容值應為:
C
SS1
/C
SS2
=1.2/3.3=0.364
。
14
顯示了
C
SS1
=0.01μF
,
C
SS2
=0.027μF
的軟啟動波形。
輸出電壓設(shè)計
輸出端與地之間的電阻分壓器設(shè)定每個
PWM
通道的輸出
電壓。分壓器的中點應接至
FBx
腳。輸出電壓值由下面的等式
確定:
2
1
R
其中
R1
是反饋分壓網(wǎng)絡(luò)的上部電阻,
R2
FBx
與地之間
連接的電阻。
異相工作
ISL6443
的兩個
PWM
控制器呈
180
°異相工作,以減小
輸入紋波電流。這降低了對輸入電容紋波電流的要求,減小了
V
OUTx
=0.8V(
2
R
R
+
)
電源的感生噪聲,同時增加了電磁干擾(
EMI
)。這可以有效
降低元件成本,節(jié)省空間和減少
EMI
。
PWM
典型的是同相工作,使上部
FET
同時導通。輸入
電容必須同時為兩個控制器提供瞬時電流,導致紋波電壓和電
流增加。與輸入電容的
ESR
相聯(lián)系的功率損耗使較高的
RMS
紋波電流降低了效率。這就需要幾個有低
ESR
值的電容并聯(lián),
以使輸入電壓紋波和
ESR
相關(guān)的損失最小,或滿足所需的紋波
電流的額定值。
雙同步異相工作時,
ISL6443
的高端
MOSFET
180
°異
相。兩個調(diào)節(jié)器的瞬時輸入電流的峰值不再重疊,導致
RMS
波電流減小和輸入電壓波動。這降低了所需的輸入電容紋波電
流的額定值,減少了電容的數(shù)量,并且降低了對
EMI
的屏蔽要
求。典型工作曲線圖展示了同步
180
°異相的工作情形。
輸入電壓范圍
ISL6443
設(shè)計的工作輸入電源范圍是
4.5V
24V
。而且,
輸入電壓范圍受最大占空比(
D
MAX
=93%
)的限制。
V
V
+
) + V
d2
- V
d1
V
IN ( min)
= (
93
.
1
d
OUT
其中,
Vd1=
電感放電路徑上總的寄生電壓降,包括下部
FET
,
電感和
PC
板。
Vd2=
充電路徑上總的電壓降,包括上部
FET
,電感和
PC
板的電阻。
最大輸入電壓和最小輸出電壓受最小接通時間(
t
ON ( min)
的限制。
V
OUT
300
其中,
t
ON(min)
=30ns
門控邏輯
門控邏輯將生成的
PWM
信號轉(zhuǎn)換為門驅(qū)動信號,提供放
大,電平移動和擊穿保護。門驅(qū)動器電路可在更寬的工作范圍
V
IN (MAX)
kHz
t
ON
(min)
×
內(nèi)幫助實現(xiàn)
IC
的最佳性能。
MOSFET
的開關(guān)時間隨著輸入電壓
和類型的不同而變化,門控邏輯通過監(jiān)控上部和下部
MOSFET
的柵極波形來提供適合的死區(qū)時間。擊穿控制邏輯提供
20ns
死區(qū)時間以確保上部和下部
MOSFET
不會同時導通,而發(fā)生擊
穿。
門驅(qū)動器
低端門驅(qū)動器由
VCC_5V
供電,提供
400mA
的峰值吸收
/源電流。高端門驅(qū)動器也能提供
400mA
的電流。上部
N
通道
MOSFET
的門驅(qū)動電壓由快速電容器自舉電路產(chǎn)生。
BOOT
PHASE
腳之間連接的自舉電容為高端
MOSFET
驅(qū)動器供電
。為限制
IC
的峰值電流,需在
UGATE
腳和和外部
MOSFET
的柵極之間接一個外部電阻。這個小的串聯(lián)電阻同時也抑制了
由電路板和
FET
輸入電容上寄生電感引起的振蕩。
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PDF描述
ISL6443 300kHz Dual, 180° Out-of-Phase, Step-Down PWM and Single Linear Controller(兩路300kHz,180°異相,降壓PWM外加一路線性控制器)
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