參數(shù)資料
型號： ISL55002IB
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 10/12頁
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描述： IC OPAMP DUAL 200MHZ 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 97
放大器類型： 電壓反饋
電路數(shù)： 2
轉(zhuǎn)換速率： 300 V/µs
增益帶寬積： 70MHz
-3db帶寬： 200MHz
電流 - 輸入偏壓： 600nA
電壓 - 輸入偏移： 1200µV
電流 - 電源： 8.5mA
電流 - 輸出 / 通道： 140mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 4.5 V ~ 30 V，±2.25 V ~ 15 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOIC
包裝： 管件
7
FN7497.4
July 27, 2006
FIGURE 23. LARGE SIGNAL RISE AND FALL TIMES
FIGURE 24. SMALL SIGNAL RISE AND FALL TIMES
FIGURE 25. SUPPLY CURRENT vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 26. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 27. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
20% to 80%
80% to 20%
20% to 80% 80% to 20%
25
20
15
10
5
0
06
9
12
15
3
SUPPLY VOLTAGES (±V)
T
O
T
A
L
SUPP
L
Y
CURRENT
(
m
A)
AV=+1
RF=0
RL=500
CL=5pF
θJA=160°C/W
SO8
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
781mW
1.136W
θJA=110°C/W
SO8
1.8
1.6
1.4
0.8
0.6
0.2
0
POWER
DISS
IP
A
T
ION
(W)
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
1
1.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
125
85
ISL55002
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PDF描述
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參數(shù)描述
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