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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ISL54503IRUZ-T |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁數(shù)： | 13/13頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH SPDT SGL 6UTDFN |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | Patient Monitoring and Diagnostic Equipment Solutions |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 功能： | 開關(guān) |
| 電路： | 1 x SPDT |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 2.5 歐姆 |
| 電壓電源： | 單電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 電流 - 電源： | 28nA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-UFDFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 6-UTDFN（1.2x1.0） |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | ISL54503IRUZ-TDKR |
9
FN6551.2
October 26, 2009
An OFF switch behaves like a capacitor and passes
higher frequencies with less attenuation, resulting in
signal feed-through from a switch’s input to output.
Off-isolation is the resistance of this signal
feed-through. Figure 18 details the high off-isolation
provided by the ISL54503. At 1MHz, off-isolation is
about 70dB in 50Ω systems, decreasing approximately
20dB per decade as frequency increases. Higher load
impedances decrease off-isolation due to the voltage
divider action of the switch OFF impedance and the
load impedance.
Leakage Considerations
ESD protection diodes are internally connected
between each analog-signal pin and both V+ and GND.
One of these diodes conducts if any analog signal
exceeds V+ or GND.
Virtually all the analog leakage current comes from the
ESD diodes to V+ or GND. Although the ESD diodes on
a given signal pin are identical and therefore fairly well
balanced, they are reverse biased differently. Each is
biased by either V+ or GND and the analog signal. This
means their leakages will vary as the signal varies. The
difference in the two diode leakages to the V+ and
GND pins constitutes the analog-signal-path leakage
current. All analog leakage current flows between each
pin and one of the supply terminals, not to the other
switch terminal. This is why both sides of a given
switch can show leakage currents of the same or
opposite polarity. There is no connection between the
analog signal paths and V+ or GND.
ISL54503
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