參數(shù)資料
型號： IS61VF102436A-6.5B3I
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165
文件頁數(shù)： 2/20頁
文件大?。?/td> 386K
代理商： IS61VF102436A-6.5B3I
10
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. B
04/17/08
IS61LF102436A IS61LF204818A
IS61VF102436A IS61VF204818A
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS(1) (OverOperatingRange)
6.5
7.5
MAX
Symbol Parameter
Test Conditions
Temp. range
x18
x36
x18
x36
Unit
Icc
ACOperating
DeviceSelected,
Com.
360
340 340
mA
Supply Current
OE
= VIh, ZZ ≤ VIl,
Ind.
375
350 350
All Inputs ≤ 0.2V or ≥ Vdd – 0.2V, typ.(2)
295
Cycle Time ≥ tkc min.
Isb
StandbyCurrent
DeviceDeselected,
Com.
155
mA
TTL Input
Vdd = Max.,
Ind.
160
160 160
All Inputs ≤ VIl or ≥ VIh,
ZZ ≤ VIl, f=Max.
IsbI
StandbyCurrent
DeviceDeselected,
Com.
140
mA
cMOs Input
Vdd = Max.,
Ind.
145
145 145
VIN ≤ Vss +0.2vor≥Vdd – 0.2V
typ.(2)
80
f = 0
Note:
1. MODEpinhasaninternalpullupandshouldbetiedtovdd or Vss. It exhibits ±100 A maximum leakage current when tied to ≤
Vss+0.2vor≥ Vdd – 0.2V.
2.Typicalvaluesaremeasuredatvcc=3.3v,TA=25oC and not 100% tested.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (OverOperatingRange)
3.3V
2.5V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
VOh
OutputHIGHvoltage
IOh = –4.0 mA (3.3V)
2.4
—
2.0
—
V
IOh = –1.0 mA (2.5V)
VOl
OutputLOWvoltage
IOl = 8.0 mA (3.3V)
—
0.4
—
0.4
V
IOl = 1.0 mA (2.5V)
VIh
InputHIGHvoltage
2.0
Vdd + 0.3
1.7
Vdd + 0.3
V
VIl
InputLOWvoltage
–0.3
0.8
–0.3
0.7
V
IlI
Input Leakage Current
Vss ≤ VIN ≤ Vdd(1)
–5
5
–5
5
A
IlO
OutputLeakageCurrent
Vss ≤ VOuT ≤ Vddq, OE = VIh
–5
5
–5
5
A
OPERATING RANGE (IS61LFxxxxx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
3.3v±5%
3.3v/2.5v±5%
Industrial
-40°Cto+85°C
3.3v±5%
3.3v/2.5v±5%
OPERATING RANGE (IS61VFxxxxx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
2.5v±5%
Industrial
-40°Cto+85°C
2.5v±5%
Note:
1. VIl (min.) = –2.0V AC (pulse width 2.0 ns). Not 100% tested.
VIh (max.) = Vdd +2.0V Ac (pulse width 2.0 ns). Not 100% tested.
相關PDF資料
PDF描述
IS62LV25616LL-70TI x16 SRAM
IS62LV25616LL-85B x16 SRAM
IS62LV25616LL-85BI x16 SRAM
IS62LV25616LL-85M x16 SRAM
IS62LV25616LL-85MI x16 SRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IS61VF51236A-6.5B3 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61VF51236A-6.5B3I 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61VF51236A-6.5B3I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61VF51236A-6.5B3-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61VF51236A-6.5TQ 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*