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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS45VS16160D-8BLA2 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/61頁(yè) |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS45VS16160D-8BLA2 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
35
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
READ - FULL-PAGE BURST
DON'T CARE
UNDEFINED
CLK
CKE
COMMAND
DQM/
DQML, DQMH
A0-A9, A11, A12
A10
BA0, BA1
DQ
tCMS tCMH
ACTIVE
NOP
READ
NOP
BURST TERM
NOP
tAS tAH
ROW
BANK
COLUMN m(2)
tCH
tCL
tCK
tCMS tCMH
tCKS tCKH
BANK
tRCD
CAS Latency
tAC
tHZ
tLZ
tAC
tOH
DOUT m
DOUT m+1
DOUT m+2
DOUT m-1
DOUT m
DOUT m+1
each row (x16) has
512 locations(3)
Full page
completion
Full-page burst not self-terminating.
Use BURST TERMINATE command.
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
Tn+1
Tn+2
Tn+3
Tn+4
Notes:
1) CAS latency = 2, Burst Length = Full Page
2) x16: A9, A11, and A12 = "Don't Care"
x8: A11 and A12 = "Don't Care"
3) x8: Each row has 1,024 locations.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
| IS61C512-35K | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS4600 | 制造商:Isocom Components 功能描述:. |
| IS46D | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Sensor inductive 18mm PNP |
| IS46DK | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO NC |
| IS46DR16128-3DBLA1 | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Automotive 2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS46DR16128-3DBLA1-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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