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參數(shù)資料
| 型號： | IS42VS16160D-75BLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 54/61頁 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS42VS16160D-75BLI |
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58
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
WRITE - WITHOUT AUTO PRECHARGE
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM/DQML
DQMH
A0-A9, A11, A12
A10
BA0, BA1
DQ
tCMS tCMH
tAS tAH
tRCD
tRAS
tRC
tCH
tCL
tCK
tCMS tCMH
tCKS tCKH
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
PRECHARGE
NOP
ACTIVE
tDPL(3)
tRP
COLUMN m(2)
ROW
DISABLE AUTO PRECHARGE
ROW
BANK
tDS tDH
DIN m
DIN m+1
DIN m+2
DIN m+3
BANK
ALL BANKS
SINGLE BANK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Notes:
1) Burst Length = 4
2) x16: A9, A11, and A12 = "Don't Care"
x8: A11 and A12 = "Don't Care"
3) tras must not be violated.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45VS16160D-8BLA2 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42VS16400C1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-12T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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