參數(shù)資料
型號： IS42S8800L
英文描述： 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram
中文描述： 2（1）字× 8（16）位× 4銀行（64兆位）同步動態(tài)隨機(jī)存儲器
文件頁數(shù)： 39/68頁
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代理商： IS42S8800L
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T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK2
Burst Length=4, CAS Latency=2
Precharge
Command
All Banks
CBR Refresh
Command
Hi-Z
CBR Refresh
Command
Activate
Command
Read
RAa
CAa
RAa
Q0
Q1
Q2
Q3
Command
tRP
tRC
tRC
*BS0, 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16800A-10B 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S32400A-10B 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42LS32400A-10BI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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參數(shù)描述
IS42SM 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM
IS42SM16160D-7BL 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42SM16160D-7BLI 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42SM16160D-7BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42SM16160D-7BL-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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