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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S16400 |
| 英文描述： | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| 中文描述： | 2（1）字× 8（16）位× 4銀行（64兆位）同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 67/68頁 |
| 文件大?。?/td> | 1526K |
| 代理商： | IS42S16400 |
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48
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T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
tCK3
Activate
Command
Bank A
Write
Hi-Z
Command
Bank A
RAa
Activate
Command
Bank A
CAb
RAb
RAb
RAc
Precharge
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
High
RAa
RAc
CAa
DAa1
DAa0
QAb0
QAb1
QAb2
QAb3
tDPL
tRP
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
tRCD
tRP
Write Data
is masked
Precharge Termination
of a Write Burst.
Precharge Termination
of a Read Burst.
t
RAS
*BS0
Burst Length=8, CAS Latency=3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16400L | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| IS42S8800 | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| IS42S8800L | 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram |
| IS42S16800A-10B | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-10B | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IS42S16400-10T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16400-10TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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