參數(shù)資料
型號(hào)： IS41C16256-60TI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, MS-24, TSOP2-40/44
文件頁(yè)數(shù)： 11/20頁(yè)
文件大小： 215K
代理商： IS41C16256-60TI
IS41C16256
IS41LV16256
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
11
EARLY WRITE CYCLE
(
OE
= DON'T CARE)
t
RAS
t
RC
t
RP
t
AR
t
CAH
t
ACH
t
ASC
t
RAD
t
RAH
t
RAL
I/O
WE
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Column
Row
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
CRP
t
CLCH
t
RCD
t
ASR
t
CWL
t
RWL
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
DH
t
DS
t
DHR
Valid Data
Don’t Care
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IS41C4100-35T 1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IS41C44002A 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C44002AS(L) 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV44002A 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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參數(shù)描述
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IS41C16256C-35TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M, 5V, EDO 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 35ns, 40 pin TSOP II RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41C16256C-35TLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M, 5V, EDO 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Async,256Kx16,35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41C16257 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16257-35K 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
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