參數(shù)資料
型號(hào)： IS41C16256-35T
廠(chǎng)商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 35 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, MS-24, TSOP2-40/44
文件頁(yè)數(shù)： 16/20頁(yè)
文件大小： 215K
代理商： IS41C16256-35T
IS41C16256
IS41LV16256
16
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
EDO-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE
(Psuedo READ-MODIFY WRITE)
t
RASP
t
RP
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Row
t
CRP
t
RCD
t
PC
t
CSH
t
CP
t
CAH
t
CAS
t
RAL
t
RSH
t
CP
t
CP
t
ACH
t
RAH
t
RAD
t
AR
t
ASR
Column (A)
Column (N)
t
CAH
t
CAH
Column (B)
t
ASC
t
ASC
t
CAS
t
CAS
OE
I/O
WE
t
ASC
t
CAC
t
RCH
t
DH
Open
Open
Valid Data (A)
t
OE
t
WCS
t
CAC
t
COH
D
IN
t
CPA
t
WCH
t
RAC
t
AA
t
PC
Valid Data (B)
t
WHZ
t
DS
t
RCS
t
AA
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PDF描述
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IS41C16256-60T 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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