參數(shù)資料
型號(hào)： IRLU024
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-251AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直|第14A條（丁）|對(duì)251AA
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 110K
代理商： IRLU024
IRLR/U014N
2
www.irf.com
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 6A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 6A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
37
48
1.3
56
71
V
nS
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
10
40
A
Starting T
J
= 25
°
C, L = 1.96mH
R
G
= 25
, I
AS
= 6A. (See Figure 12)
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
This is applied for I-PAK, L
S
of D-PAK is measured between
lead and center of die contact
I
SD
≤
6.0A, di/dt
≤
210A/μs, V
DD
≤
V
,
T
J
≤
175
°
C
Notes:
Parameter
Min.
55
–––
–––
–––
1.0
3.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.056
–––
–––
0.14
–––
0.21
–––
–––
–––
–––
–––
25
–––
250
–––
100
–––
-100
–––
7.9
–––
1.4
–––
4.4
6.5
–––
47
–––
12
–––
23
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 6A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 6A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 6A
V
DS
= 44V
V
GS
= 5.0V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 28V
I
D
= 6A
R
G
= 6.2
,
V
GS
= 5.0V
R
D
= 4.5
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
V/
°
C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
ns
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
265
80
38
–––
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nH
I
GSS
S
D
G
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU014N HEXFET Power MOSFET
IRLR014N HEXFET Power MOSFET
IRLZ10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-220AB
IRLZ14A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
IRLZ20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLU024A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251AA
IRLU024N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLU024NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRLU024NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU024PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*