參數(shù)資料
型號： IRLR7821TRRPBF
元件分類： JFETs
英文描述： 65 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： LEAD FREE, IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 320K
代理商： IRLR7821TRRPBF
IRLR/U7821PbF
10
www.irf.com
I-Pak (TO-251AA) Part Marking Information
I-Pak (TO-251AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
78
LINE A
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
OR
PRODUCT (OPTIONAL)
P = DESIGNATES LEAD-FREE
A = ASSEMBLY SITE CODE
IRFU120
119A
DATE CODE
PART NUMBER
LOT CODE
ASSEMBLY
56
78
YEAR 1 = 2001
WEEK 19
indicates Lead-Free"
ASSEMBLED ON WW 19, 2001
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
Note: "P" in ass embly line position
EXAMPLE:
WIT H ASSEMBLY
THIS IS AN IRFU120
LOT CODE 5678
RECTIFIER
INTERNATIONAL
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
IRFU120
56
PART NUMBER
WEEK 19
DATE CODE
YEAR 1 = 2001
相關PDF資料
PDF描述
IRLU024NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU4343PBF 26 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRU1117CS 800mA LOW DROPOUT POSITIVE ADJUSTABLE REGULATOR
IS28F002BVT-80TI 256K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO40
IS28F020-12PLI 256K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR7833 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7833CPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7833CTRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7833CTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7833HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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