參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR3110ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大小： 746K
代理商： IRLR3110ZPBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
1K
VCC
DUT
0
L
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
EA
ID
TOP 4.4A
6.5A
BOTTOM 38A
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VG
ID = 100μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
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PDF描述
IRLU3110ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
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IRLR3110ZTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3110ZTRPBF 功能描述:MOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3110ZTRRPBF 功能描述:MOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3114ZPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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