- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360970 > IRLR3101 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRLR3101 |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | IRLR3101 |
IRLR/U3103
Tape & Reel Information
TO-252AA
Dimensions are shown in millimeters (inches)
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: (44) 0883 713215
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 3L1, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: 6172 37066
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: (39) 1145 10111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 3-30-4 Nishi-Ikeburo 3-Chome, Toshima-Ki, Tokyo 171 Tel: (03)3983 0641
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
Data and specifications subject to change without notice.
8/95
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR3815 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
| IRLU3815 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251AA |
| IRLR8103 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 89A I(D) | TO-252AA |
| IRLS0Z0 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-243 |
| IRLS610A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220F |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLR3103 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLR3103PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLR3103TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLR3103TRBDF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IR 2004+ |
| IRLR3103TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。