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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRLR024Z |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | AUTOMOTIVE MOSFET |
| 中文描述： | 汽車MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | IRLR024Z |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
1K
VCC
DUT
0
L
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
EA
ID
TOP 1.2A
1.8A
BOTTOM9.6A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU024Z | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRLR2703 | ER 7C 7#16S SKT PLUG |
| IRLR3110ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRLU3110ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRLR3114ZPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLR024ZPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLR024ZTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 16A 58mOhm 6.6nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLR024ZTRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLR034A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-252AA |
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