參數(shù)資料
型號： IRLR024NPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 304K
代理商： IRLR024NPBF
IRLR/U024NPbF
www.irf.com
3
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
,D
ra
in
-to
-S
ou
rc
eC
urre
nt
(A
)
D
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
A
20s PULSE WIDTH
T = 25°C
J
VGS
TOP
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
,D
ra
in
-to
-S
ou
rc
eC
urre
nt
(A
)
D
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
DS
A
20s PULSE WIDTH
T = 175°C
VGS
TOP
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5V
J
0.1
1
10
100
2
3456789
10
T = 25°C
J
GS
V
, Gate-to-Source Voltage (V)
DI
,Dra
in
-to
-S
o
urc
e
C
urre
n
t(A)
T = 175°C
J
A
V
= 15V
20s PULSE WIDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
J
T , Junction Temperature (°C)
R
,
D
ra
in
-to
-S
ou
rc
eO
nR
es
is
ta
nc
e
DS
(o
n)
(N
or
m
al
iz
ed)
V
= 10V
GS
A
I = 18A
D
17 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR7821TRRPBF 65 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRLU024NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU4343PBF 26 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRU1117CS 800mA LOW DROPOUT POSITIVE ADJUSTABLE REGULATOR
IS28F002BVT-80TI 256K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO40
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參數(shù)描述
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IRLR024NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR024NTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR024NTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR024NTRPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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