參數(shù)資料
型號(hào): IRLR024N
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 5/10頁(yè)
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代理商: IRLR024N
IRLR/U024N
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
5V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(TH ERMAL RESPONSE)
A
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak T = P x Z + T
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
T , Case Temperature (°
I
D
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRLR024NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK
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IRLR024NTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube