參數(shù)資料
型號(hào)： IRLP2505
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 148K
代理商： IRLP2505
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
5.0 V
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
IRLP2505
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
0
200
400
600
800
1000
1200
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 22A
38A
BOTTOM 54A
D
5.0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLP3803 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 120A I(D) | TO-247AC
IRLR010 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-252
IRLR014A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA
IRLR020 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-252
IRLR024A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLP3034PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 327A 1.7mOhm 108nC TO221 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLP3803 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 120A I(D) | TO-247AC
IRLR 3110ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk
IRLR 3636PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk
IRLR/U120A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
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