- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄384507 > IRLML6402 (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRLML6402 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | IRLML6402 |
IRLML6402
8
www.irf.com
Tape & Reel Information
Micro3
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.05 ( .080 )
1.95 ( .077 )
TR
FEED DIRECTION
4.1 ( .161 )
3.9 ( .154 )
1.6 ( .062 )
1.5 ( .060 )
1.85 ( .072 )
1.65 ( .065 )
3.55 ( .139 )
3.45 ( .136 )
1.1 ( .043 )
0.9 ( .036 )
4.1 ( .161 )
3.9 ( .154 )
0.35 ( .013 )
0.25 ( .010 )
8.3 ( .326 )
7.9 ( .312 )
1.32 ( .051 )
1.12 ( .045 )
9.90 ( .390 )
8.40 ( .331 )
178.00
( 7.008 )
MAX.
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 8/99
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLML6402TR | HEXFET Power MOSFET |
| IRLML2502 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLML2803 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm) |
| IRLML6401 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLML6402PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLML6402GPBF | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLML6402GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLML6402GTRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 20 V 1.3 W 8.0 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23 |
| IRLML6402PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFETP CH20V3.7ASOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET,P CH,20V,3.7A,SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET,P CH,20V,3.7A,SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-550mV; Power ;RoHS Compliant: Yes |
| IRLML6402TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。