參數(shù)資料
型號(hào)： IRLML6401
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 142K
代理商： IRLML6401
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -1.3A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -1.3A
di/dt = -100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
22
8.0
-1.2
33
12
V
ns
nC
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Source-Drain Ratings and Characteristics
-1.3
-34
S
D
G
!"
Starting T
J
= 25°C, L = 3.5mH
R
G
= 25
, I
AS
= -4.3A.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-12
–––
––– -0.007 –––
–––
––– 0.050
###
––– 0.085
###
––– 0.125
-0.40 -0.55 -0.95
8.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
–––
1.4
–––
2.6
–––
11
–––
32
–––
250
–––
210
–––
830
–––
180
–––
125
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -4.3A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -2.5A
V
GS
= -1.8V, I
D
= -2.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -4.3A
V
DS
= -12V, V
GS
= 0V
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V, T
J
= 55°C
V
GS
= -8.0V
V
GS
= 8.0V
I
D
= -4.3A
V
DS
= -10V
V
GS
= -5.0V
V
DD
= -6.0V
I
D
= -1.0A
R
D
= 6.0
R
G
= 89
V
GS
= 0V
V
DS
= -10V
= 1.0MHz
V/°C
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
–––
-1.0
-25
-100
100
15
2.1
3.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
$
μA
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLML6402PBF HEXFET Power MOSFET
IRLMS1902 HEXFET Power MOSFET
IRLMS2002 HEXFET Power MOSFET
IRLMS5703 HEXFET Power MOSFET
IRLMS6802 HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLML6401GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRLML6401GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLML6401PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P -12V -4.3A MICRO 3 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -12V, -4.3A, MICRO 3 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -12V, -4.3A, MICRO 3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-550mV ;RoHS Compliant: Yes
IRLML6401PBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET, SOT-23 Footprint
IRLML6401TR 功能描述:MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*