參數(shù)資料
型號(hào)： IRLL014N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 158K
代理商： IRLL014N
IRLL014N
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.015 –––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.0
–––
2.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.5
–––
1.1
–––
3.0
–––
5.1
–––
4.9
–––
14
–––
2.9
–––
230
–––
66
–––
30
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 2.0A
V
GS
= 5.0V, I
D
= 1.2A
V
GS
= 4.0V, I
D
= 1.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 1.0A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 2.0A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 9
V
DD
= 28V
I
D
= 2.0A
R
G
= 6.0
R
D
= 14
,
See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
0.14
0.20
0.28
2.0
–––
25
250
100
-100
14
1.7
4.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
ns
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
2.0A, di/dt
≤
170A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 4.0mH
R
G
= 25
, I
AS
= 4.0A. (See Figure 12)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 2.0A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
41
73
1.0
61
110
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
16
1.3
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLL1905 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB
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IRLP2505
IRLP2505 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLP3803 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 120A I(D) | TO-247AC
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IRLL014NTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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