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參數(shù)資料
| 型號： | IRLL014 |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(158.50 k) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（158.50十一） |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | IRLL014 |
IRLL014N
www.irf.com
9
SOT-223 Outline
Tape & Reel Information
4.10 (.161)
3.90 (.154)
1.85 (.072)
1.65 (.065)
2.05 (.080)
1.95 (.077)
12.10 (.475)
11.90 (.469)
7.10 (.279)
6.90 (.272)
1.60 (.062)
1.50 (.059)
TYP.
7.55 (.297)
7.45 (.294)
7.60 (.299)
7.40 (.292)
2.30 (.090)
2.10 (.083)
16.30 (.641)
15.70 (.619)
0.35 (.013)
0.25 (.010)
FEED D IRECTION
TR
13.20 (.519)
12.80 (.504)
50.00 (1.969)
MIN .
330.00
(13.000)
MAX.
NOTES :
1. C ON TR OLLING DIMENSION : MILLIME TER .
2. OUTLIN E CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
3. EACH O330.00 (13.00) REEL CO NTAINS 2,500 D EVICES.
3
NOTES :
1. OUTLINE C OMFOR MS TO EIA-418-1.
2. CONTR OLLING DIMEN SION: MILLIM ETER..
3. DIMENSION MEASUR ED @ HU B.
4. IN CLU DES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
15.40 (.607)
11.90 (.469)
18.40 (.724)
MAX.
4
14.40 (.566)
12.40 (.488)
4
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 1/99
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLL024NQ | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | SOT-223 |
| IRLL014N | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管) |
| IRLL1905 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB |
| IRLM014A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | SOT-223 |
| IRLP2505 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLL014_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLL014N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223 |
| IRLL014NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 2.8A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube |
| IRLL014NPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLL014NTR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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