參數(shù)資料
型號： IRLI3705N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： IRLI3705N
IRLI3705N
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.056 –––
–––
––– 0.010
–––
––– 0.012
–––
––– 0.018
1.0
–––
50
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
–––
140
–––
37
–––
78
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 28A
V
GS
= 5.0V, I
D
= 28A
V
GS
= 4.0V, I
D
= 24A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 46A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 46A
V
DS
= 44V
V
GS
= 5.0V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 28V
I
D
= 46A
R
G
= 1.8
,
V
GS
= 5.0V
R
D
= 0.59
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
= 1.0MHz
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
2.0
–––
25
250
100
-100
98
19
49
–––
–––
–––
–––
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
ns
C
iss
C
oss
C
rss
C
Source-Drain Ratings and Characteristics
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
–––
–––
–––
–––
3600 –––
870
320
12
–––
–––
–––
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
nH
pF
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 28A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 46A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
94
290
1.3
140
440
V
ns
nC
S
D
G
A
52
310
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 320μH
R
G
= 25
, I
AS
= 46A. (See Figure 12)
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
t=60s, =60Hz
Uses IRL3705N data and test conditions
I
SD
≤
46A, di/dt
≤
250A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
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PDF描述
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IRLI3803 HEXFET Power MOSFET
IRLI520N Power MOSFET
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IRLI3803PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 67A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLI510A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
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