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參數(shù)資料
| 型號： | IRLI3103 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | IRLI3103 |
IRLI3103
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
5.0V
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0
10
20
30
40
25
50
75
100
125
150
175
I
D
T , Case Temperature (°C)
A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak TJ
DM
thJC
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI520G | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186 |
| IRLI530G | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | SOT-186 |
| IRLI540G | |
| IRLI540N | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package |
| IRLI640A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-262AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLI3215PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRLI3303 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLI3615 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLI3615HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
| IRLI3615PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 14A TO-220FP |
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