參數(shù)資料
型號(hào)： IRLI2910
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： IRLI2910
IRLI2910
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
5.0 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 12A
20A
BOTTOM 29A
D
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test
Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
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