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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRL7N1404 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET的表面貼裝系統(tǒng)（SMD - 1） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 115K |
| 代理商： | IRL7N1404 |
IRL7N1404
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
50
Q , Total Gate Charge (nC)
100
150
200
250
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
55A
V
= 8V
DS
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
0.1
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1
ms
10ms
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL830S | POWER MOSFET |
| IRL830T | POWER MOSFET |
| IRLBA1304 | Power MOSFET |
| IRLBD59N04E | HEXFET Power MOSFET |
| IRLD014 | POWER MOSFEET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRL7NJ3802 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
| IRL7NJ3802SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 12V 22A 3SMD-0.5 - Bulk |
| IRL7NJ3802SCX | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 12V 22A 3SMD-0.5 - Bulk |
| IRL7Y1905C | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 50V 10A 3PIN TO-257 - Bulk |
| IRL7Y1905CSCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 50V 10A 3PIN TO-257AA - Bulk |
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