參數(shù)資料
型號(hào)： IRL6903L
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 30V的五（巴西）直| 105A及一（d）|對(duì)262AA
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 136K
代理商： IRL6903L
IRL6903
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
SD
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL6903S TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 91A I(D) | TO-263AB
IRFPS30N60K SMPS MOSFET
IRL6903 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLBA1304P 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package
IRLBA1304P HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRL7833 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRL7833L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRL7833LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 3.8mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL7833PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 32nV 3.8mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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