參數(shù)資料
型號(hào): IRL611
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五(巴西)直| 2.6AI(四)| TO - 220AB現(xiàn)有
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代理商: IRL611
IRL610S
6
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
5V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL610S 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL621 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IRL624 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | SO
IRL631 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB
IRL640S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRL620 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL620A 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL620PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL620S 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL620S 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK