參數(shù)資料
型號(hào)： IRL530NL
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-262AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 17A條（丁）|對(duì)262AA
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 275K
代理商： IRL530NL
IRL530NS/L
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 9.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 9.0A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
140
740 1100
1.3
210
V
ns
nC
Starting T
J
= 25°C, L = 3.1mH
R
G
= 25
, I
AS
= 9.0A. (See Figure 12)
I
SD
≤
9.0A, di/dt
≤
540A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Uses IRL530N data and test conditions
** When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended soldering techniques refer to application note #AN-994.
Source-Drain Ratings and Characteristics
S
D
G
17
60
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
100
–––
–––
0.122 –––
–––
––– 0.100
–––
––– 0.120
–––
––– 0.150
1.0
–––
7.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.2
–––
53
–––
30
–––
26
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 9.0A
V
GS
= 5.0V, I
D
= 9.0A
V
GS
= 4.0V, I
D
= 8.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 9.0A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 9.0A
V
DS
= 80V
V
GS
= 5.0V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 50V
I
D
= 9.0A
R
G
= 6.0
,
V
GS
= 5.0V
R
D
= 5.5
,
See Fig. 10
Between lead,
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
2.0
–––
25
250
100
-100
34
4.8
20
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
800
160
90
–––
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
L
S
Internal Source Inductance
7.5
ns
nH
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL530S
IRL531 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-220AB
IRL540 (166.75 k)
IRL541 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-220AB
IRL5602STRL TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRL530NLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRL530NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL530NS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL530NSPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL530NSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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