參數(shù)資料
型號(hào)： IRL3705Z
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 296K
代理商： IRL3705Z
2
www.irf.com
S
D
G
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Min.
55
–––
–––
–––
–––
1.0
150
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.055
–––
6.5
8.0
–––
11
–––
12
–––
3.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
40
60
12
–––
21
–––
17
–––
240
–––
26
–––
83
–––
V
V/°C
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
V
GS(th)
gfs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
V
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
–––
4.5
–––
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 44V
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
2880
420
–––
–––
–––
–––
–––
–––
220
1500
330
510
–––
–––
–––
–––
pF
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
75
A
–––
–––
340
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
16
7.4
1.3
24
11
V
ns
nC
V
GS
= 5.0V
V
DD
= 28V
I
D
= 43A
R
G
= 4.3
V
GS
= 5.0V
T
J
= 25°C, I
S
= 52A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 43A, V
DD
= 28V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 52A
V
GS
= 5.0V, I
D
= 43A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 30A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 52A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Conditions
I
D
= 43A
V
DS
= 44V
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PDF描述
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IRL3705ZS AUTOMOTIVE MOSFET
IRL3715Z HEXFET Power MOSFET
IRL3715ZL HEXFET Power MOSFET
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IRL3705ZLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL3705ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL3705ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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