參數(shù)資料
型號： IRL3402S
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直| 85A條（丁）|對263AA
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 128K
代理商： IRL3402S
IRL3402S
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 51A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 51A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
72
160
1.3
110
240
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
85
340
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
–––
0.02
–––
––– 0.010
–––
––– 0.008
0.70
–––
65
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
–––
140
–––
80
–––
120
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 51A
V
GS
= 7.0V, I
D
= 51A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 51A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 10V
V
GS
= -10V
I
D
= 51A
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6
V
DD
= 10V
I
D
= 51A
R
G
= 5.0
,
V
GS
= 4.5V
R
D
= 0.19
,
Between lead,
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
25
250
100
-100
78
18
30
–––
–––
–––
–––
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
ns
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
3300 –––
1400 –––
510
pF
–––
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
GSS
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 0.55 mH
R
G
= 25
, I
AS
=51A.
I
SD
≤
51A, di/dt
≤
82A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Uses IRL3402 data and test conditions
** When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature; for recommended current-handling of the
package refer to Design Tip # 93-4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL3402S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRL3502S 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRL3502S HEXFET Power MOSFET,Ideal for CPU Core DC-DC Converters(HEXFET功率MOS場效應(yīng)管,理想用于CPU 核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器)
IRL3705 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB
IRL3705NL (186.82 k)
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參數(shù)描述
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IRL3402STRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3402STRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3402STRR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3502 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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