參數(shù)資料
型號： IRL3202S
英文描述： 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
中文描述： 20V的單個N -溝道HEXFET功率MOSFET的一項D2 - PAK封裝
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： IRL3202S
IRL3202S
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
I
SD
￡
29A, di/dt
￡
63A/μs, V
DD
￡
V
(BR)DSS
,
T
J
￡
150°C
Pulse width
￡
300μs; duty cycle
￡
2%.
Notes:
Starting T
J
= 25°C, L = 0.64mH
R
G
= 25
W
, I
AS
= 29A.
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 29A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 29A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
68
130
1.3
100
190
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
48
190
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
–––
0.029 –––
–––
––– 0.019
–––
––– 0.016
0.70
–––
28
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.8
–––
100
–––
63
–––
82
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 29A
V
GS
= 7.0V, I
D
= 29A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, I
D
= 29A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 10V
V
GS
= -10V
I
D
= 29A
V
DS
= 16V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6
V
DD
= 10V
I
D
= 29A
R
G
= 9.5
W,
V
GS
= 4.5V
R
D
= 0.3
W,
Between lead,
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
D
V
(BR)DSS
/
D
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
W
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
25
250
100
-100
43
12
13
–––
–––
–––
–––
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
ns
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
2000 –––
800
290
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
GSS
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Uses IRL3202 data and test conditions
** When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
相關PDF資料
PDF描述
IRL3202S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
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IRL3402S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AA
IRL3402S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
IRL3502S 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
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