參數(shù)資料
型號(hào)： IRL3102
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.013ohm, Id=61A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）\u003d 0.013ohm，身份證\u003d 61A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 96K
代理商： IRL3102
IRL3102
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
–––
0.016 –––
–––
––– 0.015
–––
––– 0.013
0.70
–––
36
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
–––
130
–––
80
–––
110
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 37A
V
GS
= 7.0V, I
D
= 37A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, I
D
= 35A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 10V
V
GS
= -10V
I
D
= 35A
V
DS
= 16V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6
V
DD
= 10V
I
D
= 35A
R
G
= 9.0
,
V
GS
= 4.5V
R
D
= 0.28
,
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
25
250
100
-100
58
14
21
–––
–––
–––
–––
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
ns
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
2500 –––
1000 –––
360
pF
–––
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
I
SD
≤
35A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
Starting T
J
= 25°C, L = 0.36mH
R
G
= 25
, I
AS
= 35A.
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 37A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 35A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
59
110
1.3
88
160
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
61
240
A
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
GSS
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
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IRL3102PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL3102S 功能描述:MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3102SPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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