參數(shù)資料
型號： IRL2203NS.IRL2203NL
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中文描述： （161.16十一）
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文件大小： 161K
代理商： IRL2203NS.IRL2203NL
IRL2203NS/L
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
200
400
600
800
1000
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 15V
I
TOP 24A
42A
BOTTOM 60A
D
4.5 V
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
RG
IA S
0.01
t
p
D.U .T
L
VD S
+
-
VD D
DRIV ER
A
15 V
10V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL2310 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220AB
IRL2910N
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參數(shù)描述
IRL2203NSPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL2203NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRL2203NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 116A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRL2203NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL2203NSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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