參數(shù)資料
型號(hào)： IRL1404S
英文描述： 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
中文描述： 單40V的N溝道HEXFET功率MOSFET的一項(xiàng)D2 - PAK封裝
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 133K
代理商： IRL1404S
IRL1404S/IRL1404L
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
40
–––
–––
0.038
–––
–––
–––
0.004
0.0059
1.0
–––
93
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
18
–––
270
–––
38
–––
130
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25
°
C,
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 95A
V
GS
= 4.3V, I
D
= 40A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 95A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 95A
V
DS
= 32V
V
GS
= 5.0V, See Fig. 6
V
DD
= 20V
I
D
= 95A
R
G
= 2.5
V
GS
= 4.5V
R
D
= 0.25
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 32V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/
°
C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
3.0
–––
20
250
200
-200
140
48
60
–––
–––
–––
–––
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6600
–––
1700
–––
350
6700
–––
1500
–––
1500
–––
pF
–––
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 95A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 95A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
63
170
1.3
94
250
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
160
640
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL2203NS.IRL2203NL (161.16 k)
IRL2310 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220AB
IRL2910N
IRL3202S 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRL3202S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRL1404SPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL1404SPFF 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRL1404STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL1404Z 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL1404ZL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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