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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRL10 |
| 廠商： | Everlight Electronic Co., Ltd. |
| 英文描述： | 5mm Infrared LED , T-1 3/4 |
| 中文描述： | 5毫米紅外發(fā)光二極管公司，T - 1 3 / 4 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 193K |
| 代理商： | IRL10 |
Technical Data Sheet
5mm Infrared LED , T-1 3/4
Everlight Electronics Co., Ltd. http:\\www.everlight.com Rev 3 Page: 1 of 7
Device No
：
DIR-033-087 Prepared date
：
07-20-2005 Prepared by
：
Jaine Tsai
IR333C/H0/L10
Features
High reliability
High radiant intensity
Peak wavelength
λ
p=940nm
2.54mm Lead spacing
Low forward voltage
Pb free
The product itself will remain within RoHS compliant version.
Descriptions
EVERLIGHT’S Infrared Emitting Diode(IR333C/H0/L10) is a
high intensity diode , molded in a water clear plastic package.
The device is spectrally matched with phototransistor , photodiode
and infrared receiver module.
Applications
Free air transmission system
Infrared remote control units with high power requirement
Smoke detector
Infrared applied system
Device Selection Guide
Chip
LED Part No.
Material
IR
GaAlAs
Lens Color
Water clear
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR383 | Technical Data Sheet 5mm Infrared LED , T-1 3/4 |
| IR67-21C | Technical Data Sheet Top Infrared LED |
| IR7373C | 5mm Infrared LED, T-1 3/4 |
| IR7393C | 5mm Infrared LED, T-1 3/4 |
| IR91-21C | 1.9mm Round Subminiature Axial Infrared LED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRL1004 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRL1004HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRL1004L | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRL1004LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 110A 6.5mOhm 66.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL1004PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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