參數(shù)資料
型號： IRL1004L
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-262
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 40V的五（巴西）直|已廢除一（d）|至262
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代理商： IRL1004L
IRL1004S/1004L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
30
60
90
120
150
180
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
78 A
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
1
10
100
1000
D
10000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
相關PDF資料
PDF描述
IRL1004S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
IRL1004L N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
IRL1004S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
IRL1104L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 104A I(D) | TO-262AA
IRL1104S 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRL1004LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 110A 6.5mOhm 66.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL1004PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL1004S 功能描述:MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL1004SPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 66.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL1004STRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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