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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRKHF180-12HK |
| 廠商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, SCR |
| 封裝： | MAGN-A-PAK-4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | IRKHF180-12HK |
IRK.F180.. Series
Bulletin I27100 rev. C 03/01
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
20
40
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80
100
120
140
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5 00A
3 00A
2 00A
1 00A
M
a
x
im
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R
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I
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(
A
)
R ate O f F all O f Fo rw ard C urre n t - di/dt (A / s)
IR K .F180.. Se rie s
T = 125 C
I
= 1000A
J
TM
80
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20 0 A
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C
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Ra te O f Fa ll O f Fo rw a rd C urre n t - d i/d t (A / s)
IRK.F 180.. Se rie s
T = 125 C
I
= 1 000 A
J
TM
1E1
1E2
1E3
1E4
1E11E2
1E31E4
50 H z
40 0
10 00
5000
150
250 0
Snub b e r circuit
R = 10 ohm s
C = 0.47 F
V
= 80% V
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Pu lse Base w id th ( s)
tp
1E4
IRK .F180.. Serie s
DR M
s
D
Tra p ezo id a l p ulse
T
= 8 5 C d i/d t 50A / s
C
E1
1E2
1E3
1E4
50 H z
400
10 00
500 0
150
250 0
Snub b er circuit
R = 10 ohm s
C = 0.47 F
V = 80% V
Pu lse Base w idth ( s)
tp
1E1
DRM
s
D
IRK .F180.. Series
Tra p ezoid a l p ulse
T
= 85 C d i/d t 100A / s
C
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 H z
400
1000
50 00
15 0
2500
P
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O
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C
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n
t
(A
)
Pu lse Ba sew id th ( s)
Snub b er c ircuit
R = 10 ohm s
C = 0.47 F
V
= 80% V
tp
1E4
Sinuso id a l p ulse
DR M
s
D
IRK .F1 80.. Se rie s
T = 85 C
C
1E1
1E2
1E3
1E4
50 H z
40 0
1000
500 0
15 0
250 0
Pu lse Ba sew id th ( s)
IRK .F 180.. Serie s
Sinusoid a l pulse
T = 60 C
Snub b e r c irc uit
R = 10 ohm s
C = 0.47
F
V
= 80% V
1E1
tp
C
DRM
s
D
Document Number: 93685
www.vishay.com
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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