參數(shù)資料
型號： IRKH430-20
英文描述： 2000V 430A Doubler Circuit Positive Phase Control Thyristor/Diode in a Super MAGN-A-Pak package
中文描述： 2000V 430A倍增器電路積極相位控制晶閘管/在超級磁共振二極管阿- Pak封裝
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRKH430-20
IRK.430.. Series
6
Bulletin I27400 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 3 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 4 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 7 - On-state Power Loss Characteristics
0
100
200
300
400
500
600
700
0
100
200
300
400
500
RMS Limit
C onduction Angle
180
°
120°
90°
60°
30°
M
Average On-state C urrent (A)
IRK.430.. Series
Per J unction
T = 130°C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
100
200
300
400
500
600
700
DC
180
°
120°
90°
60°
30°
RMS Limit
Conduction Period
M
Average On-state C urrent (A)
IRK.430.. Series
Per Junction
T = 130°C
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
1
10
100
Number Of Equal Amplitude Half Cycle C urrent Pulses (N)
P
Initial T = 130
°C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
ARated V Applied Following Surge.
RRM
IRK.430.. Series
Per J unc tion
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
16000
0.01
0.1
1
P
Pulse Train Duration (s)
Ma ximum Non Repetitive Surge C urrent
V ersus Pulse Train Duration. Control
Of C onduction May Not Be Maintained.
Initial T = 130
°C
No Voltage Reapplied
Rated V Reapplied
IRK.430.. Series
Per Junction
20
40
60
80
100
120
Maximum Allowable Ambient Temperature (
°C)
R =00 /W DlaR
tS
00 /W
012K/W
016K/W
02K/W
0.3 K/W
0.4 K/W
0.6 K/W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
100
200
300
400
500
600
700
180
°
120°
90°
60°
30°
Total RMS Output Current (A)
M
C onduction Angle
IRK.430.. Series
Per Module
T = 130°C
相關PDF資料
PDF描述
IRKL430-18 1800V 430A Doubler Circuit Positive Phase Control Thyristor/Diode in a Super MAGN-A-Pak package
IRKT430-16 1600V 430A Doubler Circuit Positive Phase Control Thyristor/Thyristor in a Super MAGN-A-Pak package
IRKH430-16 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓16V,快速H結(jié)構(gòu)絕緣柵型雙極型晶體管)
IRKH430-18 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓18V,H結(jié)構(gòu)快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRKH430-20 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(額定電壓20V,H結(jié)構(gòu)快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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