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參數(shù)資料
| 型號： | IRHNJ9130 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
| 中文描述： | 抗輻射功率MOSFET表面貼裝系統(tǒng)（SMD - 0.5） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | IRHNJ9130 |
IRHNJ9130
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
V
GS
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
-
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNJ93130 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
| IRHQ3110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28) |
| IRHQ4110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28) |
| IRHQ7110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28) |
| IRHQ8110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRHNJ9230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNJ93130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNJ93130SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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