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參數(shù)資料
| 型號： | IRHNJ3130 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 100V, N-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
| 中文描述： | 100V的N通道抗輻射HEXFET MOSFET技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | IRHNJ3130 |
www.irf.com
7
IRHNJ7130
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
.
Pre-Irradiation
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
6.4A
9.1A
14A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNJ4130 | 100V, N-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
| IRHNJ8130 | 100V, N-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
| IRHNJ7130 | 100V, N-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
| IRHNJ53034 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
| IRHNJ54034 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHNJ3130SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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| IRHNJ3230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNJ3230SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ3230SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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