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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHM8360 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED |
| 中文描述： | 重復(fù)性雪崩和dv / dt受好評(píng) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 332K |
| 代理商： | IRHM8360 |
IRHM7360, IRHM8360 Devices
www.irf.com
5
Post-Irradiation
Fig 6.
Typical On-State Resistance Vs.
Neutron Fluence Level
Fig 5.
Typical Zero Gate Voltage Drain
Current Vs. Total Dose Exposure
Fig 8b.
V
DSS
Stress Equals
80% of B
VDSS
During Radiation
Fig 9.
High Dose Rate
(Gamma Dot) Test Circuit
Fig 7.
Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During
1x10
12
Rad (Si)/Sec Exposure
Fig 8a.
Gate Stress of V
GSS
Equals 12 Volts During
Radiation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHM7360SE | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=22A) |
| IRHM7450 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED |
| IRHM7450SE | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=12A) |
| IRHM8450 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED |
| IRHM9064 | TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-60V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-35*A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHM8360D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8360U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHM8450D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254AA |
| IRHM8450U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254AA |
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