參數(shù)資料
型號(hào): IRHM8250
廠商: International Rectifier
英文描述: RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
中文描述: 抗輻射功率MOSFET的通孔(對(duì)254AA)
文件頁(yè)數(shù): 11/12頁(yè)
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代理商: IRHM8250
www.irf.com
11
Pre-Irradiation
IRHM7250, JANSR2N7269
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 29b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 29a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 28c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 28b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 28a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRHM8260 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk
IRHM8260D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR
IRHM8260U 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR