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參數資料
| 型號： | IRHG3214 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| 中文描述： | 抗輻射功率MOSFET的通孔 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | IRHG3214 |
!
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
%
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
2. Peak T =P
x Z
DM
thJC
Notes:
1. Duty factor D = t / t
+ T
2
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRHI7460SE | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.32ohm, Id=20A) |
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參數描述 |
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